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Contribución al estudio de defectos en capas epitaxiales de GaN. Aplicación a dispositivos optoelectrónicos

Autor Tesis: 
Fernando José Sánchez Sanz
Fecha : 
Vie, 16/10/1998
Director/es
Nombre y apellidos: 
Resumen: 

Esta tesis doctoral se ha dedicado al estudio y caracterización de capas epitaxiales de GaN. Este material es un semiconductor de GAP ancho (3,4 eV) que ha despertado un gran interés gracias a sus propiedades que posibilitan su aplicación inmediata a la fabricación de emisores en el azul y UV, detectores de UV y transistores de potencia. Se han estudiado capas crecidas sobre sustratos de zafiro y silicio (III) por dos técnicas diferentes, MBE y MOVPE. Las técnicas empleadas han sido fotoluminiscencia, efecto hall y fotocapacidad. Mediante ellas se han caracterizado defectos en material no dopado y ha sido posible la determinación de la energía de activación de varios dopantes como el Si (donante), el Mg y el Be (aceptores). Finalmente se ha realizado un estudio de la influencia de estos defectos y dopantes sobre las prestaciones de dos dispositivos, un detector de UV fotoconductor y un emisor de radiación azul (diodo electroluminiscente

Calificación: 
Sobresaliente Cum Laude