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Contribución al estudio de defectos en capas epitaxiales de GaN.Aplicación a dispositivos optoelectrónicos.
Tesis Doctorales
[1]
Fecha :
Vie, 16/10/1998
Calificación:
Sobresaliente Cum Laude
URL del envío:
https://www.die.upm.es/grupo_de_investigacion/6/miembro/contribuci%C3%B3n-al-estudio-de-defectos-en-capas-epitaxiales-de-ganapli
Enlaces:
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