Investigación sobre el origen y la caracterización de las anomalías de baja frecuencia (por debajo de 1MHZ) en el ruido, transconductancia y conductancia de salida en los Hemts pseudomórficos de AlGaAs/InGaAs. También se realiza un análisis de la capacidad y de las resistencias parásitas. Se estudia la dispersión de la transconductancia con la frecuencia y el ruido para diferentes temperaturas y polarizaciones. Se encuentra que la causa de las anomalías son dos trampas: los centros DX, debidos al dopante y las trampas pseudominoritarias, relacionadas con los estados de la superficie no cubierta con la puerta. Asimismo se proponen modelos que incluyen estos efectos en el circuito equivalente del transisto
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[1] https://www.die.upm.es/category/categoria/tesis-doctorales
[2] https://www.die.upm.es/grupo_de_investigacion/1759/hisel-laboratorio-de-electr%C3%B3nica-de-alta-velocidad
[3] https://www.die.upm.es/perfil/el%C3%AD-mu%C3%B1oz-merino-0