Contribución al estudio de defectos en capas epitaxiales de GaN.Aplicación a dispositivos optoelectrónicos. | DIE

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Contribución al estudio de defectos en capas epitaxiales de GaN.Aplicación a dispositivos optoelectrónicos.

Tesis Doctorales

Fecha :

Vie, 16/10/1998

Calificación:

Sobresaliente Cum Laude

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