Published on
DIE
(
https://www.die.upm.es
)
Home
> Printer-friendly
Contribución al estudio de defectos en capas epitaxiales de GaN.Aplicación a dispositivos optoelectrónicos.
Tesis Doctorales
[1]
Fecha :
Fri, 16/10/1998
Calificación:
Sobresaliente Cum Laude
Source URL:
https://www.die.upm.es/en/node/631
Links:
[1] https://www.die.upm.es/en/category/categoria/tesis-doctorales